日本產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所（產(chǎn)綜研）環(huán)境化學技術研究部門確立了8μm厚鈀（Pd）薄膜箔的制備技術，由此用于半導體制造設備的99.99999999％（十個九）高純度氫氣（供）提純模塊的開發(fā)及實用化初顯眉目。產(chǎn)綜研的風險開發(fā)中心已開始基于該研究成果，對從事氫氣提純模塊業(yè)務的風險企業(yè)的開發(fā)戰(zhàn)略提供支援。 環(huán)境化學技術研究部門膜分離工藝組長原重樹的研發(fā)小組，一直在利用鈀膜能夠只令氫氣透過的特性，推進氫氣分離及提純膜面的開發(fā)。此次開發(fā)的方法是，在聚酰胺（尼龍）等工程樹脂底板表面涂布含有鈀離子的聚....
